固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

特别是对于高速开关应用。但还有许多其他设计和性能考虑因素。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以支持高频功率控制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，例如，以及工业和军事应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，如果负载是感性的，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，无需在隔离侧使用单独的电源，该技术与标准CMOS处理兼容，从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。航空航天和医疗系统。

此外，支持隔离以保护系统运行，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。模块化部分和接收器或解调器部分。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。供暖、